Meios de armazenamento com componentes magnéticos não são novidade na informática. Já há muito tempo que os discos-rígidos utilizam essa tecnologia para realizar operações de leitura e escrita. Entretanto, físicos e engenheiros alemães tentaram uma abordagem diferente para esse conceito, apresentando um protótipo de RAM que alcança máxima velocidade nesse processo — maior que a das memórias atualmente disponíveis.
Conhecida como MRAM — Magnetoresistive Random Access Memory, ou memória de acesso aleatório magneto-resistiva, em uma tradução arriscada —, a tecnologia divulgada recentemente poderá ser mais rápida e eficiente do que a das memórias atuais, aproveitando seu baixo consumo e a facilidade de mudar rapidamente o estado de cada bit armazenado.
A MRAM é composta por células MTJ (Magnetic Tunneling Junction), compostas por vários níveis de elementos ferromagnéticos, que juntos trabalham como um resistor. A iteração desses componentes com um pequeno campo elétrico determina o nível de resistividade, conseqüentemente possibilitando ou não a passagem do pulso elétrico (estado “0” ou “1”) para o armazenamento. Esta iteração consiste no alinhamento dos spins das diversas camadas da célula, definido pelo conjunto de bits que passa pelo barramento, de acordo com a interpretação polar (norte ou sul magnético) de cada unidade mínima da memória.
A pesquisa de Santiago Serrano-Guisan e Hans Schumacher busca encontrar maneiras de realizar essas operações no menor tempo possível, que até agora é de 10 nanossegundos para cada operação, o que seria três vezes mais rápido que uma RAM normal. O próximo passo seria avançar a tecnologia para adaptá-la aos padrões compatíveis com os circuitos CMOS.
Atualização (15/08/2008 às 14:30): com a colaboração do leitor suportador (obrigado!), fiz algumas mudanças no parágrafo intermediário, utilizando seu texto sugerido.
