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Apple estuda tecnologia para integrar o Face ID à tela

iPhone sem recorte frontal

Desde a apresentação do iPhone X, em 2017, um dos elementos mais contraditórios do dispositivo é o recorte frontal (notch) — tanto é que já cobrimos inúmeros rumores/conceitos que praticamente eliminam a sua existência.

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Agora, uma nova patente concedida à Apple mostra que a companhia está de fato inclinada em estudar tecnologias alternativas que eliminariam a necessidade do notch. Essa invenção, segundo o AppleInsider, refere-se ao uso de um display TFT1Thin film transistor ou transistor de película fina., o qual poderia incluir simultaneamente sensores que realizam diversas funções.

Uma matriz de fotodetectores pode ser configurada de várias maneiras como um sensor biométrico, câmera ou sensor de profundidade, por exemplo. Isso pode ser usado para gerar uma imagem (uma imagem 2D), um mapa de profundidade (uma imagem 3D) ou um videoclipe (uma sequência de imagens 2D ou 3D).

A proposta da Apple seria incorporar tais elementos fotodetectores em uma tela TFT ou ao atrás dela. A maior parte do pedido de patente, entretanto, está preocupada em como esse fotodetector poderia ser incluído sem prejudicar outras funções importantes.

Fato é que a junção do display com os sensores mencionados poderia ser usada tanto para permitir o Face ID quanto o Touch ID sob a tela — algo que já vem sendo especulado há um bom tempo, mas que ganhou mais força este ano.

Protótipo sem notch

Como dissemos, não é de hoje que surgem rumores sobre iPhones sem o recorte frontal — e os burburinhos mais recentes vêm do Gizchina.

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Segundo informações, a Apple estaria testando um protótipo do “iPhone 13” sem o notch — mas eles ainda não “confirmam” que a companhia teria implantando o Face ID ou o Touch ID sob a tela.

Seja como for, claro que mais formas de autenticação no iPhone poderiam facilitar ainda mais seu uso, principalmente considerando as limitações do Face ID causadas pelo uso de máscaras — independentemente de existir o notch ou não.

Notas de rodapé

  • 1
    Thin film transistor ou transistor de película fina.

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